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07-31

联电抢攻利基型记忆体,準备于泉州市合资设立 12 吋厂


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联电抢攻利基型记忆体,準备于泉州市合资设立 12 吋厂

随着中国武汉新芯记忆体基地在 3 月 28 日正式启动,準备瞄準 NAND Flash 产业,并在 2030 年成为月产能 100 万片的半导体巨人,原本预估在武汉新芯自己有大规模产能,恐将威胁其他记忆体代工厂的情况下,其他厂商可能陆续退出市场。不过,却有厂商反其道而行。晶圆代工大厂联电就宣布,目前正积极规划切入利基型记忆体代工的市场,而且现正招聘人手中,并且逐步开始準备小量试产。

根据联电指出,联电现已针对切入利基型记忆体代工成立专案小组,并由甫加入联电担任副总经理的前瑞晶总经理陈正坤领军。至于,其他包括技术授权、与对岸合资计画,建厂进度,投资金额等内容,则待双方签订合约后才能公布。

另外,联电为扩大在记忆体市场的布局,也开始规划与大陆泉州市政府合作,在泉州兴建 12 吋晶圆厂,切入利基型记忆体代工。对此,联电内部也成立相关的专案小组,进行包括记忆体工程师人才的招募,以及在南科厂区设立小量产线试产等地工作。由于联电在本周即将召开相关记忆体製程的设备厂商大会,针对南科厂区的小型产线设备进行报价工作。因此,预计联电的记忆体代工事业将会自台湾开始出发,逐步再向中国市场扩展。

由于联电一直拥有嵌入式快闪记忆体技术,加上陈正坤进入联电集团之后,未来除了有机会抢进嵌入式快闪记忆体之外,还有机会在利基型 DRAM 市场一较长短。由于记忆体产业被中国政府列为重点发展,因此包括储存型快闪记忆体(NAND Flash)及利基型记忆体(DRAM)市场都将快速发展下,联电希望能藉此取得一席之地。

不过,原本联电期望由与厦门市政府合资的联芯半导体,原本也打算争取列入中国国家级 NAND Flash 和 DRAM 指标企业,但最后却由清华紫光旗下的同方国芯出线。但是,联电却并未因此放弃在中国设立记忆体代工厂的计画,在泉州市政府积极争取与联电合资后,双方将準备在泉州设立中国南方首座记忆体代工业务,同时协助中国相关利基型记忆体 IC 设计公司成立,建构完整垂直生态供应链的方向迈进。

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